您好,欢迎来到中国浙江网上技术市场! 登录 快速注册 帮助中心 客服电话: 0571-85009137

成果
  • 成果
  • 需求
  • 专家
  • 中介
搜索

首页> 技术成果

近红外增强型黑硅PIN光电探测器

评论:0 发布时间:2018-05-16 17:37:00.0
行业领域:制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造
专利信息: 非专利技术
成熟度: 可以量产
技术合作方式: 其他
技术推广方式: 正在技术推广
技术交易价格: 面议
  • 信息描述
应用行业领域 电子信息-光电子
适用范围
成果内容简介 硅基PIN光电探测器广泛应用于激光制导、光电跟踪、激光监听、激光准直、激光测距等领域,但常规硅基PIN探测器在1064nm波长的响应度低,使其应用受到一定程度的限制。提高PIN光电探测器近红外响应度可以使得光电探测系统能够探测到更微弱的近红外光或者可以作用更远的距离。
黑硅对近红外光的吸收率高,可以提高硅基PIN光电探测器近红外光响应度,从而提高武器系统性能。通过优化器件结构、黑硅掺杂、黑硅微结构控制、钝化等工艺技术,显著提高了黑硅PIN光电探测器在1064nm波长的响应度,波长1064nm响应度从0.30A/W提高到0.60A/W,波长1150nm响应度达到0.19A/W,硅基器件响应截止波长延伸到1180nm。在波长1064nm、1100nm和1150nm的响应度分别是常规PIN探测器的2倍、4倍和6倍。通过优化器件制作工艺,有效地抑制了黑硅PIN光电探测器暗电流。
黑硅PIN光电探测器制作工艺与常规光电探测器制作工艺兼容性好,实现了小批量生产。目前,研制的近红外增强型黑硅PIN光电探测器与滨松公司同类产品的性能参数相当。
前期应用示范情况
获得研发资助情况
转化应用前景
  • 用户点评
共0条记录
到第 确定

我要点评

项目打分:
1 2 3 4 5

提交

联系方式

推荐