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一种基于 SOI 和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法

评论:0 发布时间:2019-03-14
行业领域:制造业 —— 其他制造业
专利类型: 发明专利
专利信息: 专利技术
专利号: CN201210027790.3
成熟度: 通过小试
技术合作方式: 其他
技术推广方式: 正在技术推广
技术交易价格: 面议
  • 信息描述
应用行业领域 新材料-纳米材料及应用
适用范围
成果内容简介 本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其
制备方法,该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充,
其制备流程包括:选取 SOI,并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄
膜;采用光刻及干法刻蚀,在 SOI 下底面氮化硅膜层上制作一个开
口,露出体硅表面;采用氢氧化钾湿法腐蚀,以氮化硅为掩蔽层将
露出的体硅表面腐蚀完毕,露出二氧化硅表面;在 SOI 的上表面涂
覆光刻胶,通过光刻和刻蚀制作纳米通孔;将具有纳米通孔的 SOI
器件电铸,获得掺杂硅包裹的金属线条;采用干法刻蚀将氮化硅去
除,并用氢氟酸溶液去除二氧化硅,完成金属纳米线阵的制备。本
发明不易损伤,且采用 SOI 片进行制作,避免了掺杂不均、掺杂层
厚度难控制等缺点。
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