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Sic IGBT(Sic MOSFET)逆变器

评论:0 发布时间:2019-07-11
行业分类:电力、热力、燃气、及水生产和供应业
合作方式:技术转让,技术许可,委托开发
所属地区:浙江省金华市
需求紧急程度:紧急
投资预算: 面议
有效期:2019-07-11至2020-07-11
  • 信息描述
遇到技术难题内容 Sic逆变器技术参数:直流输入电压为DC150V~300V,功率10kW,输出电压为三相,通过隔离变压器升压到380V。 目前已有的基础:有成熟的控制板电路、及DSP主控芯片程序。 需要解决的难题:研究Sic IGBT三相逆变器驱动电路。 期望值:用Sic IGBT(Sic MOSFET)代替传统IGBT(MOSFET),目的是减小逆变器体积,提高逆变效率。"
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